Indústria de fabricação de carboneto de silício

Comparado comà base de silíciomateriais semicondutores, os materiais semicondutores de terceira geração representados pelo carboneto de silício (SiC) têm muitas vantagens, como alto campo elétrico de ruptura, alta velocidade de deriva de elétrons saturados e alta condutividade térmica.

Dispositivos de energia de carboneto de silício são usados ​​principalmente em campos de alta potência, como veículos de nova energia, armazenamento de energia fotovoltaica, trânsito ferroviário e outros campos, especialmente no campo de veículos. Nos próximos anos, aplicações como inversores principais de bordo e módulos de carregamento continuarão a crescer em alta velocidade.

Atualmente, as empresas nacionais aceleraram sua entrada na cadeia da indústria de carboneto de silício, e os gastos de capital aceleraram, trazendo rápido crescimento de todos os elos da cadeia da indústria.

De acordo com o relatório da Yole, o tamanho do mercado de dispositivos elétricos de carboneto de silício ultrapassará US$ 6 bilhões em 2027, com uma taxa de crescimento anual composta de mais de 30%.

A energia baseada em carboneto de silícioA cadeia da indústria de dispositivos inclui principalmente a preparação do substrato de carboneto de silício a montante, o crescimento da camada epitaxial, a fabricação de dispositivos a meio caminho e os mercados de aplicação a jusante.

O processo de preparação do substrato é principalmente para sintetizar pó de carbono de alta pureza e pó de silício de alta pureza em pó de carboneto de silício. Sob campo de temperatura especial, o método de transferência de vapor físico (método PVT) é usado principalmente para cultivar lingotes de cristal de carboneto de silício de diferentes tamanhos, e o substrato de carboneto de silício é produzido após múltiplos processos.

A ligação epitaxial está principalmente no substrato de carboneto de silício, e a folha epitaxial é formada na superfície do substrato pelo método de deposição química de vapor (CVD).

Entre elas, a folha epitaxial de carboneto de silício é preparada pelo crescimento da camada epitaxial de carboneto de silício em substrato de carboneto de silício condutor, que pode ser posteriormente transformado em dispositivos de energia e aplicado em veículos de nova energia, fotovoltaico, trânsito ferroviário, rede inteligente, aeroespacial e outros campos. A folha epitaxial de nitreto de gálio à base de silício (GaN-on-SiC) é preparada pelo crescimento da camada epitaxial de nitreto de gálio em substrato de carboneto de silício semi-isolado, que pode ser posteriormente preparado em dispositivos de RF de micro-ondas e aplicado em campos de comunicação 5G.

Da estrutura de custo de fabricação de dispositivos de carboneto de silício, o custo do substrato é o maior, respondendo por 47%; O segundo é o custo estendido, respondendo por 23%. Esses dois processos são componentes importantes dos dispositivos de SiC.

Tag: indústria de fabricação de carboneto de silício, fabricantes e fornecedores da indústria de fabricação de carboneto de silício da China, Magnésia fundida, refratário para aquecedores, refratário para sistemas de isolamento térmico, Forno refratário, Fabricante refratário, Rutenos refratários